| 摘要 |
<P>Circuit décodeur élémentaire pour une mémoire RAM statique intégrée monolithiquement, réalisée à l'aide de transistors à effet de champ en arséniure de gallium et constituée d'une porte NON-OU dont les n entrées reçoivent les n signaux codés d'adressage a1, a2, ... an de la mémoire, ou leurs complémentaires, dont la sortie fournit un signal appliqué sur le transistor haut d'un étage PUSH-PULL, et un signal complémentaire, obtenu par l'intermédiaire d'un transistor inverseur, appliqué sur le transistor bas de l'étage PUSH-PULL, le point commun des deux transistors de l'étage PUSH-PULL fournissant le signal de la ligne de MOT de la mémoire, caractérisé en ce que les deux transistors de l'étage PUSH-PULL sont, comme les transistors de la porte NON-OU du type dit "à enrichissement" et en ce que le signal de sortie de la porte NON-OU est appliqué sur l'entrée du transistor inverseur par l'intermédiaire d'une diode de décalage de niveau, de manière telle que la polarisation des transistors de l'étage PUSH-PULL produit la transmission extrêmement rapide des informations qui apparaîssent en sortie de la porte NON-OU, jusqu'à la ligne de MOT. <BR/> Application : mémoires-cache pour gros ordinateurs et processeurs d'appareils de simulation de vol. <BR/> (CF DESSIN DANS BOPI)<BR/> <BR/></P>
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