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<P>Procédé de fabrication d'un caisson et éventuellement de zones d'isolation électriques d'un circuit intégré, notamment de type MOS. <BR/> Ce procédé consiste à déposer une couche d'isolant 46 sur un substrat 42 semi-conducteur, à graver cette couche afin de ne garder de l'isolant qu'au-dessus de la zone 49 du substrat dans laquelle on va réaliser un composant actif, à réaliser un masque de résine 50 comportant une ouverture 51 définissant les dimensions du caisson n 58 à réaliser, cette ouverture étant située en regard de l'isolant gravé, à implanter des ions de phosphore dans la région 52 du substrat non recouverte de résine modifiant localement la conductivité du substrat, à éliminer le masque, à recuire le substrat implanté pour faire diffuser les ions dans ledit substrat et former le caisson, à oxyder les régions du substrat non recouvertes d'isolant pour former les zones d'isolation 60, 62, et éliminer l'isolant. <BR/> (CF DESSIN DANS BOPI)<BR/> <BR/></P>
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