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<p>PROCEDIMIENTO DE DOPADO DE SILICIO CON BORO. CONSISTENTE EN FORMAR UNA CAPA DE DIOXIDO DE SILICIO, AL MENOS, SOBRE LA SUPERFICIE DEL ELEMENTO DE SILICIO A DOPAR, DEPOSITANDO POSTERIORMENTE SOBRE LA ANTERIOR UNA CAPA DE POLISILICIO CON EL DOPANTE DE BORO. DESPUES, SE SOMETE EL ELEMENTO A UN CALENTAMIENTO, EN AMBIANTE OXIDANTE, PARA PROVOCAR UNA OXIDACION PARCIAL DEL POLISILICIO Y LA DIFUSION DEL BORO A TRAVES DE LA CAPA DE OXIDO HACIA EL ELEMENTO DE SILICIO. LA VELOCIDAD DE DIFUSION DEL BORO EN EL OXIDO SE INCREMENTA SI SE OPERA EN ATMOSFERA DE VAPOR DE AGUA, AUMENTANDOSE LA DIFUSION DEL BORO EN EL SILICIO MEDIANTE UN CALENTAMIENTO ADICIONAL EN ATMOSFERA INERTE. LAS CAPAS DE POLISILICIO Y DE DIOXIDO DE SILICIO PUEDEN SEPARARSE O QUEDAR RETENIDAS.DE APLICACION EN DOPADO DE SUPERFICIES PERPENDICULARES A LA SUPERFICIE PRINCIPAL DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR.</p> |
