METHOD AND CIRCUIT FOR PROVIDING ADJUSTABLE CONTROL OF SHORT CIRCUIT CURRENT THROUGH A SEMICONDUCTOR DEVICE.

摘要

Des transistors de puissance à effet de champ sont utilisés couramment pour réaliser un cheminement conducteur en série entre une source de potentiel d'alimentation (12) et une charge (14). Un problème se pose lorsque la charge met le transistor en court-circuit, car pendant la durée du court-circuit des coups de courants à travers le FET (10) peuvent endommager sérieusement ou même détruire ce dernier. Une solution permettant de limiter le flux de courant de court-circuit dans un transistor à effet de champ (10) et de limiter la puissance dissipée consiste à détecter une augmentation dans la tension drain-source du transistor et à verrouiller la tension porte-source à une valeur réglable prédéterminée, ce qui permet de réduire l'intensité du flux de courant de court-circuit et de la ramener à des valeurs adaptées aux caractéristiques de fonctionnement du dispositif. Un circuit commutateur comparateur (32, 36) réagit au dépassement d'une valeur de tension de référence par la tension drain-source du FET et produit le verrouillage de la tension porte-source sur une tension réduite prédéterminée. Un réseau de résistances ajustable (40) est relié entre les électrodes de porte et de source du transistor et sert à ajuster le potentiel de tension verrouillé porte-source, afin de compenser les variations des transconductances d'un transistor pouvant être utilisé en combinaison avec le circuit électronique et le transistor suivant.