发明名称 |
Gate array arrangement using the CMOS technique. |
摘要 |
Die Gate Array Anordnung sieht in einem Kernbereich eines Chips Zellbereiche in Matrixform vor. In jedem Zellbereich ist eine Grundschaltung angeordnet, die aus 6 oder 7 Transistoren in CMOS-Technik besteht, und die durch entsprechende Zusammenschaltung eine logische Funktion oder eine Speicherfunktion ausführen kann. Die Verdrahtung der Grundschaltungen untereinander erfolgt entweder über die Grundschaltungen oder unter Benutzung von Grundschaltungen, die zur Realisierung von Speichern oder logischen Funktionen nicht verwendet werden. Mit Hilfe der Grundschaltungen aus 6 oder 7 N- und P-Kanaltransistoren ist es möglich, pro Grundschaltung eine Speicherzelle zu realisieren und damit Speicher auf einer Gate Array Anordnung zu schaffen, die an dem jeweiligen Bedarf angepaßt werden kann.
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申请公布号 |
EP0224887(A1) |
申请公布日期 |
1987.06.10 |
申请号 |
EP19860116579 |
申请日期 |
1986.11.28 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
HOLZAPFEL, HEINZ PETER;MICHEL, PETRA |
分类号 |
H01L27/092;G11C11/40;G11C11/412;G11C17/12;H01L21/82;H01L21/8238;H01L27/02;H01L27/10;H01L27/118;(IPC1-7):H01L27/02 |
主分类号 |
H01L27/092 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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