Reversely conducting thyristor.

摘要

Bei einem Rückwärtsleitenden Thyristor mit integrierter antiparalleler Diode wird eine Verbesserung der Schalteigenschaften dadurch erreicht, dass als Thyristor ein Feldgesteuerter Thyristor (FCT) vorgesehen ist. Gemäss einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist dieser FCT kathodenseitig durch eine Mehrzahl von abwechselnd angeordneten n<+>-dotierten Kathodenbereichen (3) und p-dotierten Gatebereichen (5) charakterisiert, wobei die Kathodenbereiche (3) durch Gräben (12) voneinander getrennt sind, über deren Böden sich die Gatebereiche (5) erstrecken.