在沟槽电容器结构上具有一单晶晶体管的动态存贮器器件及其制造方法

摘要

在沟槽电容器顶部，叠放一个单晶存取数晶体管的三维动态随机存取存贮器器件结构及其制造方法，其中，籽晶由环绕电路单元的单晶半导体区域和/或沟槽的垂直侧壁所提供，而且其中的存取数晶体管由绝缘体加以隔离。在本结构中，沟槽位于包含N⁺重掺杂多晶硅的P⁺型衬底中。SiO₂/Si₃N₄/SiO₂复合膜用作电容存贮器的绝缘体。薄层SiO₂安置在多晶硅之上。轻掺杂的P^-型外延硅位于衬底和SiO₂层之上。

主权项

1、一种将单晶晶体管放在沟槽电容器结构之上的动态存贮单元的制造方法，它以如下步骤为特征：第1步在单晶硅衬底上形成掩蔽层；第2步在所说的掩蔽层上开窗口，并且在该窗口之下的所说的衬底上腐蚀沟槽；第3步用多晶硅材料填充所说的沟槽，并对该多晶硅材料掺杂；第4步在填入沟槽的所说的多晶硅上形成一层氧化层；第5步从所说的衬底上除去所说的掩蔽层；第6步在所说的衬底和覆盖沟槽区的氧化层上生长一层掺杂外延单晶硅；第7步在所说的外延硅层上形成一掩蔽层；第8步在所说的沟槽区上的所说的掩蔽层中开一窗口，并腐蚀掉所说的外延层硅和该沟槽上的氧化物；第9步用多晶硅材料回填在第8步中形成的该窗口；第10步除去在第7步中形成的所说的掩蔽层；第11步采用常规的栅氧化生长和栅确定方法以及源/漏掺杂剂(离子)注入方法，在所说的沟槽上形成一个存取数晶体管器件。