METHOD FOR PRODUCING MOS TRANSISTORS HAVING METAL SILICIDE ELECTRODES.

摘要

Procédé de fabrication de transistors à effet de champ de très petites dimensions. L'électrode de grille (20) est constituée par une première couche de siliciure métallique; des remblais isolants (30) sont formés le long des bords latéraux de la grille; puis une deuxième couche de siliciure métallique (32) est déposée pour former les électrodes de source et de drain; là où la deuxième couche recouvre la première, un rabotage par gravure planarisante est effectué de sorte qu'on aboutit à une structure d'électrodes planes dans laquelle la grille est séparée des électrodes de source et drain par un intervalle plus petit que ce que permettrait une séparation par photogravure.