Fully ion implanted junction field effect transistor,申请号US19860861628-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Fully ion implanted junction field effect transistor
摘要
申请公布号	USH291(H)	申请公布日期	1987.06.02
申请号	US19860861628	申请日期	1986.05.07
申请人		发明人
分类号	H01L21/337;H01L29/10;H01L29/808	主分类号	H01L21/337
代理机构		代理人
主权项
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