POLYCIDE PROCESS IN SEMICONDUCTOR FABRICATION.

摘要

Des structures de polyciures (13, 14) utilisant des siliciures métalliques sont réputées sujettes au soulèvement et à la formation de cloques sur la couche de siliciure (14). Le problème se résout par un contrôle précis de la teneur en impuretés dans le polysilicium (13). Ledit contrôle peut s'exercer durant le dépôt ou la formation du siliciure ou par traitement thermique du siliciure après dépôt.