COMBINED INTEGRATED CIRCUIT/FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND ION BEAM METHODS OF CONSTRUCTING SAME.

摘要

L'invention concerne des procédés de formation de cibles ferroélectriques en nitrates métalliques ou en matériaux similaires, des procédés de dépôt de ces matériaux par des techniques à faisceau d'ions, et un procédé de formation d'un dispositif de mémoire ferroélectrique combiné à un circuit intégré dans lequel le matériau ferroélectrique est déposé par des techniques à faisceau d'ions.