Thyristor with controlable emitter-base short-circuit.

摘要

Ein Thyristor mit einen pnpn-Halbleiterkörper weist randseitig zu einem der Emitterschichten (1) als steuerbare Emitter-Basis-Kurzschlüsse dienende MIS-FET-Strukturen (9, 12 bis 16) auf. Jede dieser Strukturen besteht aus einem in die Emitterschicht eingefügten Halbleitergebiet (9), das von der dieser Emitterschicht (1) zugeordneten Elektrode (6) kontaktiert wird, aus einem Teilbereich (12) der angrenzenden Basisschicht (2), aus einem dazwischenliegenden Kanalbereich (13), der aus einer randseitigen Zone der Emitterschicht (1) gebildet ist, und aus einem den Kanalbereich isoliert überdeckenden Gate (15). Dieses Gate überdeckt auch den Teilbereich (12) der Basisschicht (2) und bildet mit diesem einen MIS-Kondensator (C1). Über einen Spannungsgenerator (23) wird das Gate (15) mit einer Spannung belegt, die zwischen einem ersten und einem zweiten Spannungswert alterniert. Beim Übergang vom ersten, unter der Einsatzspannung des Kanalbereichs (13) liegenden Spannungswert zum zweiten, der der Einsatzspannung des Teilbereichs (12) der Basisschicht möglichst angenähert ist, zündet der Thyristor infolge des als Zündstrom wirkenden Verschiebestroms des MIS-Kondensators (C1), beim Übergang vom zweiten auf den ersten wird er gelöscht.