| 发明名称 |
MEMORIA NON VOLATILE IN CUI PUO' ESSERE ATTUATA SCRITTURA E CANCELLATURA CON BASSE TENSIONI |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1168295(B) |
申请公布日期 |
1987.05.20 |
| 申请号 |
IT19830022984 |
申请日期 |
1983.09.23 |
| 申请人 |
HITACHI LTD;HITACHI MICROCOMPUTER ENGINEERING LTD |
发明人 |
NOBUYUKI SATO;KYOTAKE UCHIUMI;SHINJI NABETANI;KEN UCHIDA |
| 分类号 |
H01L21/8247;G11C16/04;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C/ |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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