| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION SUR UN SUPPORT ISOLANT D'UN FILM DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ORIENTE ET A DEFAUTS LOCALISES |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2580672(B1) |
申请公布日期 |
1987.05.15 |
| 申请号 |
FR19850006000 |
申请日期 |
1985.04.19 |
| 申请人 |
ETAT FRANCAIS CNET |
发明人 |
MICHEL HAOND, DANIEL BENSAHEL ET DIDIER DUTARTRE;BENSAHEL DANIEL;DUTARTRE DIDIER |
| 分类号 |
H01L21/20;C30B13/34;(IPC1-7):C30B29/06 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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