VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON TRANSISTOREN AUF EINEM SILIZIUMSUBSTRAT,申请号DE19863618000-传众专利搜索

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发明名称	VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON TRANSISTOREN AUF EINEM SILIZIUMSUBSTRAT
摘要
申请公布号	DE3618000(A1)	申请公布日期	1987.05.14
申请号	DE19863618000	申请日期	1986.05.28
申请人	INTEL CORP.	发明人	BAERG,WILLIAM;H. TING,CHIU;B. SIU,BYRON;C. TZENG,JYH
分类号	H01L21/265;H01L21/762;H01L21/8238;(IPC1-7):H01L21/72;H01L21/94	主分类号	H01L21/265
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