| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI UN DISPOSITIVO A SEMICONDUTTORI |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1167659(B) |
申请公布日期 |
1987.05.13 |
| 申请号 |
IT19830022981 |
申请日期 |
1983.09.23 |
| 申请人 |
HITACHI LTD. |
发明人 |
KOUICHI NAGASAWA;SHUJI IKEDA;NORIO SUZUKI;YOSHIO SAKAI |
| 分类号 |
H01L27/092;H01L21/033;H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/105;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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