| 发明名称 |
SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ET SES PROCEDES ET APPAREIL DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE LA FABRICATION DE SUBSTRAT DE SILICIUM.</P><P>ELLE SE RAPPORTE A UN PROCEDE DANS LEQUEL UN CORPS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN 6 EST TIRE PAR UN DISPOSITIF 17 A UNE VITESSE PLUS ELEVEE QUE CELLE DES PROCEDES CONNUS. LA CONCENTRATION DE L'OXYGENE EST ALORS ACCRUE, ET, APRES TRAITEMENT THERMIQUE AU COURS DE LA FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEUR, LA QUALITE DES DISPOSITIFS OBTENUS EST ACCRUE.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES.</P>
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| 申请公布号 |
FR2589489(A1) |
申请公布日期 |
1987.05.07 |
| 申请号 |
FR19860015075 |
申请日期 |
1986.10.29 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
TOSHIHIKO SUZUKI, YASABURO KATO ET MOTONOBU FUTAGAMI;KATO YASABURO;FUTAGAMI MOTONOBU |
| 分类号 |
C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20;C30B15/30;H01L21/18;H01L21/208;H01L21/322;(IPC1-7):C30B15/00 |
主分类号 |
C30B29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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