发明名称 | 宽带信号空间耦合装置 | ||
摘要 | 在一个宽带信号空间耦合装置中,每个可由一译码器控制的、耦合点专用的存贮单元控制的耦合元件,由一位于耦合元件输入与输出之间的增强型MOS晶体管的C-MOS变换线路构成。其中,在P沟道增强型晶体管与所属电势源之间,附加了另一同样为增强型的P沟道晶体管;而在n沟道增强型晶体管与所属电势源之间,附加了另一同样为增强型的n沟道晶体管。上述两个附加的增强型晶体管的控制极均接在前述存贮单元的输出端上。 | ||
申请公布号 | CN86107249A | 申请公布日期 | 1987.05.06 |
申请号 | CN86107249 | 申请日期 | 1986.10.25 |
申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 鲁迪格尔·霍夫曼 |
分类号 | H04J3/08 | 主分类号 | H04J3/08 |
代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 吴秉芬 |
主权项 | 1、具有耦合点(Kpij)的宽带信号空间耦合装置,其耦合元件(Kij)可由一译码器控制的、耦合点专用的存贮单元(Hij)予以控制,每个耦合元件由一具有增强型MOS晶体管的C-MOS变换线路(Tp,Tn)构成,其输入端与所属信号输入线(ej)相连,而其输出端接至所属信号输出线(ai),在一种沟道类型的MOS晶体管(Tp)与所属电势源(UDD)之间,附加了一个同样沟道类型的MOS晶体管(Tpp),其控制极接在存贮单元(Hij)的一个输出端(S′)上;而在另一种沟道类型的MOS晶体管(Tn)与所属电势源(USS)之间,附加了一个同样为另一种沟道类型的MOS晶体管(Tnn),其控制极接在存贮单元(Hij)的互补输出端(S″)上,其特征在于:在P沟道增强型晶体管(Tp)与所属电势源(UDD)之间,附加了一个同样为增强型的P沟道晶体管(Tpp);而在n沟道增强型晶体管(Tn)与所属电势源(USS)之间,附加了一个同样为增强型的n沟道晶体管(Tnn)。 | ||
地址 | 联邦德国慕尼黑威特尔斯贝彻广场2号 |