首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR OF SELF ALIGNED COMPLETE LDD STRUCTURE
摘要
申请公布号 JPS6294983(A) 申请公布日期 1987.05.01
申请号 JP19850235555 申请日期 1985.10.22
申请人 SEIKO EPSON CORP 发明人 IWAMATSU SEIICHI
分类号 H01L29/78;H01L21/265 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com