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<P>CE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ELECTRONIQUE POUR PROTEGER DES CIRCUITS INTEGRES CONTRE DES DECHARGES ELECTROSTATIQUES A UN VOLUME MINIMAL, PEUT RESISTER A DES TENSIONS DOMMAGEABLES ELEVEES ET ETRE PRODUIT PENDANT LES MEMES PHASES DE PRODUCTION QUE LE CIRCUIT INTEGRE A PROTEGER. LE DISPOSITIF COMPORTE DEUX DIODES 5, 6 MONTEES EN SERIE ET EN OPPOSITION, DISPOSEES ENTRE UNE ENTREE IN DU CIRCUIT INTEGRE 2 A PROTEGER ET LA LIGNE DE TERRE 3, AVEC LES CATHODES 8, 10 RACCORDEES ENSEMBLE ET FORMEES PAR UNE SEULE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE 15 ET DONT LES ANODES 7, 9 SONT FORMEES DANS UNE SEULE PHASE DE PROCEDE EN EMPLOYANT DES TECHNIQUES DE PRODUCTION HAUT-BAS (TOP-BOTTOM PRODUCTION).</P>
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