发明名称 ELECTRICALLY PROGRAMMABLE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND MANUFACTURE OF THE SAME
摘要
申请公布号 JPS6292376(A) 申请公布日期 1987.04.27
申请号 JP19860197017 申请日期 1986.08.22
申请人 TEXAS INSTR INC <TI> 发明人 DEBITSUDO MATSUKUERUROI;TEIMII EMU KOFUMAN;BASUTAA ATSUSHIYUMOAA
分类号 H01L21/8247;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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