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Procédé de fabrication de transistors bipolaires consistant à produire sur un substrat en silicium d'un type déterminé de conductivité une dérivation de collecteur (22) en bisiliciure de cobalt ou tout autre matériau présentant une bonne correspondance avec le réseau cristallin du silicium et compatible avec les procédés conventionnels de production de circuits intégrés en silicium, à provoquer par la suite sur la dérivation du collecteur et sur le substrat la croissance épitaxiale d'une couche (18) en silicium présentant une conductivité de type opposé et à former ensuite par des techniques conventionnelles les régions de base (10), d'émetteur (11) et de collecteur (8, 12) du transistor dans la couche de silicium obtenue par croissance épitaxiale. |
