| 发明名称 |
FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH COMPOSITE DRAIN REGION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0171003(A3) |
申请公布日期 |
1987.04.22 |
| 申请号 |
EP19850109416 |
申请日期 |
1985.07.26 |
| 申请人 |
HITACHI, LTD. |
发明人 |
HORIUCHI, MASATADA;NATSUAKI, NOBUYOSHI |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/43;H01L29/45;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/08;H01L29/36 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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