| 发明名称 | 四氯化硅氢化新工艺 | ||
| 摘要 | SiCl<SUB>4</SUB>氢化新工艺，是将粉末状镍触媒与硅粉按一定比例混合，装入反应器中，在氢气氛中和430℃温度下对其进行4小时活化处理后，即可通入SiCl<SUB>4</SUB>与H<SUB>2</SUB>的混合气体，进行氢化反应，反应温度为400～500℃，压力10～20kg/cm<SUP>2</SUP>。在触媒的寿命有效期内，不必添加，氢化反应可连续进行。这种新工艺，操作简单、SiCl<SUB>4</SUB>一次转化率高、能耗较低。 | ||
| 申请公布号 | CN85107465A | 申请公布日期 | 1987.04.15 |
| 申请号 | CN85107465 | 申请日期 | 1985.10.12 |
| 申请人 | 北京有色冶金设计研究总院;天津大沽化工厂 | 发明人 | 沈祖祥;王景华 |
| 分类号 | C01B33/08 | 主分类号 | C01B33/08 |
| 代理机构 | 北京市第十专利代理事务所 | 代理人 | 张道智 |
| 主权项 | 1、一种将气体SiCl4与氢气混合后，通过含有一定比例触媒的硅粉层进行氢化反应而生成SiHCl3的方法，其特征在于所选用的触媒为粉末状镍触媒，该触媒一次加入反应器中，经活化处理，氢化反应可连续进行，反应温度为400～500℃、压力10～20kg/cm2。 | ||
| 地址 | 北京市复兴路12号 | ||