发明名称 | 强光离子渗金属装制及其方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种利用二次着火现象所设计的强光离子渗金属装置及其方法。渗层深度明显加深,渗钼层达285微米,渗入金属种类不受限制,阴极座上有一个用渗入金属做成的桶形靶,内放工件,工件周围放置渗入金属碎片。在适当条件下,桶形靶内电离产生“雪崩”,形成高能量强光离子区,完成强光离子渗金属过程,该区温度可达1700℃,也可以作为科学研究用新颖的高温能源。 | ||
申请公布号 | CN85106757A | 申请公布日期 | 1987.04.15 |
申请号 | CN85106757 | 申请日期 | 1985.09.10 |
申请人 | 电子工业部工艺研究所 | 发明人 | 李仲君 |
分类号 | C23C10/06;C23C14/38 | 主分类号 | C23C10/06 |
代理机构 | 电子工业部专利服务中心 | 代理人 | 邱应凤;徐娴 |
主权项 | 1、一种离子渗金属装置,由真空室、直流电压源和相应电极组成,其特征是:在阴极座(5)上有一个能产生高能量离子区、一面开口的容器一桶形靶(4),桶形靶(4)与阴极座(5)同电位。 | ||
地址 | 山西省太原市第115信箱 |