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发明名称 REACTING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MATERIAL AT HIGH TEMPERATURE
摘要
申请公布号 JPS6279627(A) 申请公布日期 1987.04.13
申请号 JP19850217763 申请日期 1985.09.30
申请人 JIEEMUSU EFU KIBANZU 发明人 JIEEMUSU EFU KIBANZU
分类号 H01L21/205;C23C16/46;H01L21/316;H01L21/365 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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