Method of producing low-ohmic, transparent indium-tin oxide layers, especially for imagers.

摘要

Die durch Aufdampfen oder Aufstäuben auf amorphe, wasserstoffhaltige Siliziumschichten aufgebrachten Indium-Zinnoxid-Schichten werden einem zweistufigen Temperprozeß bei maximal 200°C unterworfen, wobei in der ersten Stufe zur Erreichung der Transparenz in Sauerstoffatmosphäre und in der zweiten Stufe für die Leitfähigkeit in einer plasmaaktivierten Formiergasatmosphäre getempert wird. Dadurch wird erreicht, daß bei gleichbleibender Transparenz (95 %) die Leitfähigkeit um den Faktor 7 verbessert wird. Das Verfahren wird verwendet bei der Herstellung von transparenten Elektroden für Bildsensorelemente in der Bürokommunikation.