| 摘要 |
<p>Sperrschicht-Feldeffekttransistor mit einem Drainbereich (2), einem Sourcebereich (3) und einer Gateelektrode (9) zur Beeinflussung eines Kanalgebietes (8). Die dem Drainbereich zugewandte Kante (12) der Gateelektrode (9) kann geringfügig näher, oder um ein Maß x weiter vom Drainbereich (2) als die dem Drainbereich zugewandte äußere Kante (13) des Sourcebereiches (3) angeordnet werden, oder mit ihr zusammenfallen. Der Abschnürbereich (11), der durch die Raumladungszone (10a, 10b) definiert ist, muß im Betriebszustand des Transistors im Kanalgebiet (8) zwischen dem Sourcebereich (3) und dem Drainbereich (2) liegen. Der Abstand des Abschnürbereiches (11) zur äußeren Kante (13) des Sourcebereiches (3) stellt die effektive Kanallänge (Lgeff) dar, die so klein wird, daß eine Erhöhung der Elektronengeschwindigkeit im Kanal erzielt wird.</p> |
