DISPOSITIF DE PUISSANCE A SEMI-CONDUCTEUR, NORMALEMENT BLOQUE, POUR HAUTES TENSIONS ET A RESISTANCE EN CONDUCTION MODULEE

摘要

CE DISPOSITIF, DU TYPE BMFET, ASSOCIE UN FONCTIONNEMENT NORMALEMENT BLOQUE, A CAUSE DU CANAL ETRANGLE, MEME AVEC UNE TENSION DE POLARISATION GACHETTE-SOURCE NULLE, SUPPORTANT DANS DE TELLES CONDITIONS DES TENSIONS DE BLOCAGE ELEVEES ENTRE SOURCE ET DRAIN, AU PHENOMENE DE LA MODULATION DE LA CONDUCTIBILITE DE LA COUCHE EPITAXIALE CONTENUE DANS LA REGION DE DRAIN, DU A L'INJECTION DE CHARGES MINORITAIRES A PARTIR DE LA REGION DE GACHETTE ET A LEUR REFLEXION PAR LA REGION DE SOURCE. CE PHENOMENE DE CONDUCTIBILITE MODULEE, PRESENT DANS LE DISPOSITIF EN CONDUCTION, AVEC UNE POLARISATION DIRECTE DE LA GACHETTE PAR RAPPORT A LA SOURCE ET UN COURANT DE GACHETTE, C'EST-A-DIRE QUAND LE TRANSISTOR FONCTIONNE DANS LE MODE BIPOLAIRE, PERMET D'OBTENIR UN FLUX DE COURANT DE DRAIN ELEVE ET UNE BASSE RESISTANCE EN CONDUCTION, MALGRE LA RESISTIVITE TRES ELEVEE DE LA COUCHE EPITAXIALE DE LA REGION DE DRAIN.