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发明名称 ETCHING METHOD OF GAAS SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL
摘要 PURPOSE:To enable to etch GaAs group compound semiconductor crystal thinly by using the solution of 2',3,4',5,7-pentahydroxyflavone as one solute without using special tools.
申请公布号 JPS5436186(A) 申请公布日期 1979.03.16
申请号 JP19770101699 申请日期 1977.08.26
申请人 TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO 发明人 UDAGAWA TAKASHI
分类号 H01L29/80;H01L21/302;H01L21/308;H01L21/338;H01L29/76;H01L29/812;H01L33/16;H01L33/30 主分类号 H01L29/80
代理机构 代理人
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