发明名称 ETAGE DE SORTIE CMOS AVEC FORTE FLUCTUATION DE TENSION ET AVEC STABILISATION DU COURANT DE REPOS
摘要 <P>CET ETAGE DE SORTIE CMOS AVEC LARGE FLUCTUATION DE TENSION, CONVENANT PARTICULIEREMENT A DES TAMPONS DE SORTIE DANS DES SOUS-SYSTEMES ANALOGIQUES MONOLITHIQUES, EST EXPOSE. L'ETAGE DE SORTIE, COMPRENANT DEUX TRANSISTORS MOS COMPLEMENTAIRES M18, M19 MONTES EN PUSH-PULL, ET UN CIRCUIT DE RETROACTION 1, 2 POUR AMELIORER LA FLUCTUATION ET LES CARACTERISTIQUES DE LINEARITE EN COMPARAISON DE CELLES DES ETAGES DE SORTIE SANS RETROACTION DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE, DES CARACTERISTIQUES SUFFISANTES DE STABILITE ETANT RETABLIES PAR COMPENSATION LOCALE. EN OUTRE, LE COURANT DE REPOS EST STABILISE PAR UN CIRCUIT SPECIAL DE COMMANDE QUI COOPERE AVEC LE CIRCUIT LOCAL DE RETROACTION.</P>
申请公布号 FR2587561(A1) 申请公布日期 1987.03.20
申请号 FR19860012874 申请日期 1986.09.15
申请人 SGS MICROELETTRONICA SPA 发明人 DANIEL SENDEROWICZ ET GERMANO NICOLLINI;NICOLLINI GERMANO
分类号 H01L21/8238;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/092;H03F1/32;H03F3/18;H03F3/30;(IPC1-7):H03F3/16 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
主权项
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