发明名称 Process for making an interconnection substrate for electronic components.
摘要 <p>Selon l'invention, le diélectrique du substrat est une céramique de type cordiérite, dont la constante diélectrique relative très faible permet une utilisation en hyperfréquence. Dans un premier mode de mise en oeuvre, le diélectrique est préparé à partir d'une poudre frittant à environ 980°, permettant l'emploi d'argent (dans le cas d'un frittage en atmosphère oxydante) ou de cuivre (dans le cas d'un frittage en atmosphère réductrice) pour les motifs conducteurs assurant les interconnexions. Dans un second mode de mise en oeuvre, la cordiérite fritte à environ 1350°; les métallisations sont alors à base de palladium (dans le cas d'une atmosphère oxydante) ou de molybdène ou de tungstène (dans le cas d'une atmosphère réductrice.</p>
申请公布号 EP0214916(A1) 申请公布日期 1987.03.18
申请号 EP19860420188 申请日期 1986.07.11
申请人 INTERCONNEXIONS CERAMIQUES 发明人 DUBUISSON, JACQUES
分类号 H01L23/52;H01L21/48;H01L23/15;H05K1/03;H05K3/40;H05K3/46 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人
主权项
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