SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

Nouveau procédé pour former un cristal du groupe quaternaire III-V sur le cristal du groupe III-V en conservant la superposition du réseau par rapport à celui du cristal du groupe III-V. Il est facile de former un super-réseau composé d'une première couche de cristaux du groupe binaire III-V (désigné III1-V1) et d'une couche de cristaux du groupe ternaire III-V (III1-III2-V2) sur un substrat d'un cristal du groupe III-V, les réseaux des deux couches étant maintenus par rapport au substrat. On obtient une couche de super-réseau plus stable si le rapport de l'épaisseur de pellicule du cristal III1-V1 par rapport à celle du cristal III1-III2-V2 est choisi pour que les compositions ainsi constituées gardent la superposition du réseau par rapport au cristal d'origine lorsque le super-réseau forme spontanément un cristal mélangé ou dopé d'impuretés.