| 发明名称 |
Complementary integrated circuit with a substrate bias voltage generator and a Schottky diode. |
| 摘要 |
Integrierte Schaltung in komplementärer Schaltungstechnik mit einem Substratvorspannungs-Generator (16), der das p(n)-Substrat (1), in das n(p)-Wannen (2) eingefügt sind, auf eine negative (positive) Substratvorspannung legt. Die Sourcegebiete (3) der im Substrat angeordneten n(p)-Kanal-FETs liegen auf Massepotential. Zur Vermeidung von "latch-up"-Effekten ist der Ausgang (17) des Substratvorspannungs-Generators (16) über eine Schottky-Diode (D) mit einem auf Massepotential liegenden Schaltungspunkt (8) verbunden.
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| 申请公布号 |
EP0213425(A2) |
申请公布日期 |
1987.03.11 |
| 申请号 |
EP19860110756 |
申请日期 |
1986.08.04 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
WINNERL, JOSEF, DR.-ING.;TAKACS, DEZSO, DIPL.-ING. |
| 分类号 |
H01L27/10;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/02;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/06 |
主分类号 |
H01L27/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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