| 发明名称 |
METHOD OF MAKING AN INTEGRATED INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNED CONTACTS IN RESPECT OF THE GATE ELECTRODE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0129045(B1) |
申请公布日期 |
1987.03.11 |
| 申请号 |
EP19840105353 |
申请日期 |
1984.05.11 |
| 申请人 |
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH;ITT INDUSTRIES INC. |
发明人 |
KRAFT, WOLFGANG |
| 分类号 |
H01L21/32;H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/265;H01L21/82;H01L27/10 |
主分类号 |
H01L21/32 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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