闸门电路断开可控硅

摘要

所提供的闸门电路断开可控硅具有一块半导体衬底、一个阳极和一个控制极。半导体衬底包含有，连接阳极的P发射层、邻接于P发射层的N基区层、邻接于N基区层且连接控制极的P基区层和邻接于P基区层且连接阴极的N发射层。为了改善其电流截止性能，半导体衬底还包括在P发射层和N基区层之间设置的P型层，并且有低于N基区层的杂质浓度。

主权项

1、闸门电路断开可控硅包括：半导体衬底，它具有第一层，该层暴露在衬底的第一个主表面上且属于第一导电型，第二层邻接于上述第一层且为第二导电型，第三层邻接于上述第二层且暴露在上述衬底的第二个主表面上，该第三层属于第一导电型，第四层邻接于上述第三层也暴露在上述衬底的第二个主表面上，该第四层属于第二导电型，第五层设置在上述第一层和上述第二层之间，属于第一导电型，该第五层选用的杂质浓度低于上述第二层中的杂质浓度，以及在上述各导电型互不相同的且相邻的层次间形成的PN结；第一主电极至少与上述第一层良好导电连接；第二主电极与上述第四层良好导电连接；控制极连接于上述第三层。