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发明名称 PLASMA ETCH PROCESS FOR SINGLE-CRYSTAL SILICON WITH IMPROVED SELECTIVITY TO SILICON DIOXIDE.
摘要
申请公布号 EP0167541(A4) 申请公布日期 1987.03.03
申请号 EP19840903912 申请日期 1984.10.22
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 发明人 BAYMAN, ATIYE;THOMAS, MAMMEN
分类号 H01L21/302;H01L21/205;H01L21/3065;(IPC1-7):B44C1/22;C03C15/00;C03C25/06;H01L21/306 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
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