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<P>CIRCUIT D'ANTISATURATION POUR TRANSISTOR P-N-P INTEGRE, COMPRENANT UN CIRCUIT COMPARATEUR FORME DE DEUX TRANSISTORS Q-Q ET D'UN GENERATEUR DE COURANT DONT LE COURANT DE SORTIE CORRESPOND A UNE FONCTION PREETABLIE, PAR EXEMPLE UNE FONCTION EXPONENTIELLE, DU COURANT EMETTEUR DU TRANSISTOR. LE CHANGEMENT D'ETAT DU CIRCUIT COMPARATEUR, DONT LA CARACTERISTIQUE EST DETERMINEE PAR LADITE FONCTION PREETABLIE AU MOYEN DUDIT GENERATEUR DE COURANT, EST DETERMINE EN FAISANT CHUTER LA TENSION V DU TRANSISTOR AU-DESSOUS D'UNE VALEUR MINIMALE PREETABLIE ET UNE PARTIE DU COURANT DE CONDUCTION DE L'UN DES DEUX TRANSISTORS DU CIRCUIT COMPARATEUR EST UTILISE POUR AUGMENTER LE B FORCE DU TRANSISTOR, EN LIMITANT LE DEGRE DE SA SATURATION ET EN LIMITANT DONC LE COURANT DE FUITE VERS LE SUBSTRAT.</P>
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