硅的多重吸杂技术及多重吸杂硅片

摘要

本发明所涉及的是硅片的多重吸杂技术及用多重吸杂技术所获得的多重吸杂硅衬底片。多重吸杂技术主要由磷扩散及多层外延组成的技术。用多重吸杂技术所获之硅片具有杂质吸杂、缺陷吸杂和多晶晶界吸杂，该硅片适于用作电荷耦合器件、光电探测器件、MOS型和TTL型大中小规模集成电路和各种硅单元器件的衬底片。多重吸杂技术简单、适用、成本低，用多重吸杂硅片所作器件结构性好、暗电流小、成品率高。

主权项

1、一种多重吸杂硅片，它具有衬底层[5]，高浓度磷吸杂层[1]，其特征在于多重吸杂硅片还具有多晶吸杂层[3]，高密度缺陷单晶吸杂层[4]，用以增强磷吸杂层[1]及多晶吸杂层[3]的吸杂效果的单晶阻挡层[2]。