| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS MIXTES |
| 摘要 |
<P>POUR REALISER DES TRANSISTORS DE TYPE PNP LATERAUX, ON UTILISE L'EMPLACEMENT D'UNE BANDE 4 DE SILICIUM POLYCRISTALLIN POUR DELIMITER LES BORDS DU COLLECTEUR ET DE L'EMETTEUR 2, 3. LE SILICIUM POLYCRISTALLIN PEUT AUSSI SERVIR D'ELECTRODE DE BASE ET LA BANDE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN SERVIR DE PORTE POUR UN OU PLUSIEURS DISPOSITIFS A CIRCUITS COMPLEMENTAIRES METAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>APPLICATION: REALISATION DE CIRCUITS INTEGRES COMPORTANT DES TRANSISTORS METAL-OXYDE-SEMI-CONDUCTEURS ET BIPOLAIRES.</P>
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| 申请公布号 |
FR2585880(A1) |
申请公布日期 |
1987.02.06 |
| 申请号 |
FR19860011229 |
申请日期 |
1986.08.01 |
| 申请人 |
STC PLC |
发明人 |
ROGER LESLIE BAKER, COLIN NICHOLAS DUCKWORTH ET DAVID WILLIAM MCNEIL;DUCKWORTH COLIN NICHOLAS;MCNEIL DAVID WILLIAM |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/033;H01L21/285;H01L21/331;H01L21/8249;H01L29/735;(IPC1-7):H01L21/82 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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