| 发明名称 |
METHOD OF FORMATION OF SILICON DIOXIDE LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2131407(B) |
申请公布日期 |
1987.02.04 |
| 申请号 |
GB19830029380 |
申请日期 |
1983.11.03 |
| 申请人 |
* RCA CORPORATION |
发明人 |
LORENZO * FARAONE;ROBERT DANIEL * VIBRONEK |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/321;(IPC1-7):C01B33/113 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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