发明名称 P-N JUNCTION ISOLATION METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPS6222451(A) 申请公布日期 1987.01.30
申请号 JP19850163220 申请日期 1985.07.22
申请人 SHARP CORP 发明人 AKAI MITSUKUNI;FUKUI MASAHARU
分类号 H01L21/761;H01L21/76 主分类号 H01L21/761
代理机构 代理人
主权项
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