发明名称 Method of making semiconductor devices.
摘要 Ein Verfahren zum Herstellen einer Anzahl von tablettenförmigen Halbleiterkörpern aus einer großflächigen, kontaktierten und auf einer Trägerplatte (10) befestigten Halbleiterausgangsscheibe, bei dem in einigen Schritten eine gleichzeitige Behandlung aller Halbleiterkörper im Verbund und in weiteren Schritten eine Einzelbehandlung erfolgt, wird dadurch optimiert, daß die durch Zerteilen der Ausgangsscheibe erzielten Halbleiterkörper (4) mit Hilfe eines Silikon-Kautschuks (5) mit besonderen Eigenschaften zu einer folienförmigen Struktur verbunden werden, daß an dieser Struktur vor dem Ablösen von der Ausgangsscheibe mittels des Silikon-Kautschuks eine Vorrichtung (13) zum Haltern der Struktur und zum Weiterbearbeiten der darin mechanisch stabil gehalterten Halbleiterkörper angebracht wird, daß die Vorrichtung mit der Struktur von der Trägerplatte abgelöst wird, daß die an der Vorrichtung befestigte Struktur weiteren Verfahrensschritten mindestens bis einschließlich zum Messen unterworfen wird und dann die Halbleiterkörper getrennt werden. Im Rahmen des Zerteilens der Ausgangsscheibe wird an den die Halbleiterkörper bildenden Abschnitten z.B. durch Ätzen oder Sandstrahlen ein definiertes Randprofil erzeugt.
申请公布号 EP0209767(A1) 申请公布日期 1987.01.28
申请号 EP19860109085 申请日期 1986.07.03
申请人 SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH 发明人 DEPPE, JOHANNES;LOEWER, DIETER
分类号 H01L21/301;H01L21/302;H01L21/304;H01L21/78;(IPC1-7):H01L21/78;H01L21/68 主分类号 H01L21/301
代理机构 代理人
主权项
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