| 摘要 |
揭示包括铬－五氧二钽(Cr－Ta2O5),铬－四氧二钽(Cr－Ta2O4或Cr－TaO2)之铬－钽氧化物(Cr－TaOvx),含彼之溅射目标物及其制法,该目标物之特征是具有高密度且均匀的TaOvx分布,低阻抗且在溅射过程中有稳定的等离子区,该Cr－Ta氧化物可作为薄膜副层使用,供在供资料储存使用的硬碟中,改进沈积在金属或非金属基板上的磁性记录媒体之矫顽性及其他特性。 |
| 主权项 |
1.一种金属组成物,其中主要含铬或铬基质之合金 及至多10原子%选自包括Ta2O5.Ta2O4及TaO2与其混合物 之氧化钽。2.一种具有磁性且供记录及储存资料 之薄膜记录媒体,其中包括: 类似碟片之基板; 沈积在该基板上之铭-氧化钽薄膜副层; 沈积在该Cr-TaOx上之非磁性金属或合金底层膜;及 沈积在该底层膜上之磁性记录膜。3.如申请专利 范围第2项之记录媒体,其中该氧化钽是选自包括Ta 2O5.Ta2O4及TaO2与其混合物。4.如申请专利范围第3项 之记录媒体,其中含至多10原子%之氧化钽。5.如申 请专利范围第2项之记录媒体,其中沈积薄膜副层 使用之Cr-TaOX目标物为金属混合物(Cr-TaOX)或单相化 合物(CrTaOX)。6.如申请专利范围第2项之记录媒体, 其中该磁性记录膜为选自CoCrTa 、CoCrPt、CoCrNiTa、 CoCrPtTa及CoCrPtTaB之Co基质合金。7.如申请专利范围 第2项之记录媒体,其中还含保护涂膜沈积在该磁 性记录膜上。8.如申请专利范围第7项之记录媒体, 其中该铬-氧化钽薄膜副层之氧化钽浓度至多为10 原子%。9.一种具有磁性且供记录及储存资料之硬 碟;其中含 类似碟片之基板: 沈积在该基板上的厚度25至3000埃且氧化钽浓度至 多10原子%之铬-氧化钽薄膜副层: 沈积在该薄膜副层上之Co基质合金磁性记录膜: 沈积在该薄膜副层及该磁性记录膜之间的Cr或Cr合 金底层;及 沈积在该磁性记录膜上之保护性碳封套。10.如申 请专利范围第9项之硬碟,其中该副层为厚度25-3000 埃之溅射膜,该磁性膜为厚度100-800埃之溅射磁性 膜,该Cr或Cr合金底层为厚度300-3000埃之溅射膜,且 该碳封套为厚度50-300埃之溅射封套。图式简单说 明: 第一图为使用热液压系统制造特定组成物目标物 实例之示意图。 第二图为另外使用热均压系统制造特定组成物目 标物实例之示意图。 第三图为另外使用感应熔化系统制造特定组成物 目标物实例之示意图。 第四图显示热压化Cr-Ta2O5目标物在25倍放大镜下的 微细结构实例。 第五图显示两种典型目标物几何结构(也就是圆形 (第五图A)及含背面支撑板之方形(第五图B))之透视 图。 第六图薄膜记录媒体结构之示意截面图。 第七图为媒体矫顽性与Cr-Ta2O5副层厚度之函数图 。 第八图为沈积在玻璃基板上的记录媒体分离波动 宽度(PW50)与Cr-Ta2O5副层厚度变化之关系图。 第九图为玻璃基板上的媒体超录存(OW)与Cr-Ta2O5副 层厚度之函数图。 第十图为媒体解析度与Cr-Ta2O5副层厚度之函数图 。 第十一图为媒体杂讯比(SNR)与Cr-Ta2O5副层厚度之函 数图。 第十二图为媒调制与Cr-Ta2O5副层厚度之函数图。 |
