| 主权项 |
1.一种印刷布线板之加工方法,其中该印刷布线板 于绝缘层中具有使印刷布线板之绝缘层之上方导 体层与绝缘层之下方导体层电连接的孔洞,以使下 方导体层暴露至孔洞底部,其包括下列步骤: 形成设置于下方导体层与绝缘层之间的处理层,此 处理层在雷射加工过程中发射具有与加工雷射不 同之波长的电磁波;及 测量自印刷布线板之处理层所发射之信号的变化, 以在进行雷射加工而在绝缘层中形成孔洞时,判定 下方导体层上之绝缘层的残留状态。2.如申请专 利范围第1项之加工方法,其中该处理层系经由氧 化下方导体层之表面而提供。3.如申请专利范围 第1项之加工方法,其中该处理层系经由将藉由雷 射加工而发射电磁波之传导性材料置于下方导体 层之表面上而提供。4.如申请专利范围第1项之加 工方法,其中该处理层系经由将包含具有藉由雷射 加工而发射预定强度之电磁波之成份的树脂置于 下方导体层之表面上而提供。5.如申请专利范围 第1项之加工方法,其更包括下列步骤: 对孔洞进行检查照明,并侦测在雷射加工过程中自 处理层发射之电磁波的信号变化; 同时测量来自下方导体层之反射光之强度及来自 处理层之发射光的其中一者,以判定绝缘层的残留 状态。6.如申请专利范围第1项之加工方法,其中该 绝缘层系由用于屏蔽自处理层发射之电磁波的树 脂所制成。7.如申请专利范围第1项之加工方法,其 更包括下列步骤: 测量在雷射加工过程中自处理层发射之电磁波的 波峰强度;及 将测得的波峰强度与预设参考値比较,以侦测在下 方导体层上的残留树脂厚度。8.如申请专利范围 第1项之加工方法,其更包括: 测量在雷射加工过程中自处理层发射之电磁波的 波峰强度,此电磁波之波峰强度于测得波峰强度超 过预设的上限参考値后降至低于预设的下限参考 値,而侦测在下方导体层上的残留树脂厚度。9.如 申请专利范围第1项之加工方法,其更包括: 在雷射加工过程中的同时测量雷射的反射及自处 理层发射之电磁波; 根据雷射强度之反射变为等于或大于雷射反射之 参考値,及电磁波强度变为等于或低于发射强度参 考値的事实侦测下方导体层上之残留树脂厚度。 10.如申请专利范围第1项之加工方法,其更包括: 测量在雷射加工过程中自处理层发射之电磁波;及 侦测在雷射辐照终止之间在信号波形衰减过程中 的波峰,以侦测在下方导体层上之残留树脂厚度。 11.如申请专利范围第1项之加工方法,其更包括下 列步骤: 测量在雷射加工过程中自处理层发射之电磁波的 强度; 对各孔洞计算发射强度之积分値;及 将积分値与预设参考値比较,而侦测在下方导体层 上之残留树脂厚度。12.如申请专利范围第2至4项 中任一项之加工方法,其中测量在雷射加工过程中 自处理层发射之波长范围自500毫微米至2000毫微米 的电磁波。13.如申请专利范围第4项之加工方法, 其中将处理层之厚度设为等于或低于可经由进行 下一程序之化学蚀刻而移除之树脂的厚度,及当测 量到自处理层发射之电磁波的信号时,停止雷射加 工。14.如申请专利范围第1项之加工方法,其中使 用在雷射加工过程中所发射之电磁波之发射强度 为在绝缘层之雷射加工过程中由绝缘层所发射之 电磁波之发射强度之两倍大以上的处理层。15.如 申请专利范围第1项之加工方法,其中使用在雷射 加工过程中在所发射之电磁波之特定波长下之发 射强度为在绝缘层之雷射加工过程中由绝缘层所 发射之电磁波之特定波长下之发射强度之两倍大 以上的处理层。16.如申请专利范围第1项之加工方 法,其更包括: 在由处理层在其雷射加工过程中所发射之电磁波 之最大强度的波长下侧量电磁波; 在由处理层在雷射加工过程中所发射之电磁波之 强度系在第一范围内,及由绝缘层在其雷射加工过 程中所发射之电磁波之强度系在大于第一范围之 第二范围内的波长下进行测量; 根据在两波长下之电磁波强度判定绝缘层的残留 状态。17.如申请专利范围第1项之加工方法,其更 包括: 在多个波长下测量在雷射加工过程中由处理层所 发射之电磁波,以根据在此等波长下的波峰强度比 侦测绝缘层的残留状态。18.如申请专利范围第16 或17项之加工方法,其中利用分光镜使在雷射加工 过程中发射之电磁波分裂,及使用二或多个侦检器 侦测分裂后的电磁波。19.如申请专利范围第1项之 加工方法,其中将二向色镜置于透镜与印刷布线板 之间,及利用二向色镜将在雷射加工过程中发射之 电磁波移至雷射之光学轴的外部,并导入侦检器中 。20.如申请专利范围第19项之加工方法,其中使用 光感测器阵列作为侦检器。21.如申请专利范围第 19项之加工方法,其中将聚光镜置于二向色镜与侦 测器之间。22.一种利用雷射于印刷布线板之绝缘 层中形成孔洞之方法,包括下列步骤: 测量自印刷布线板之处理层所发射之电磁波的变 化; 根据变化判定绝缘层之残留状态,如绝缘层之残留 厚度大于设定値,则施加额外的雷射脉冲。23.一种 利用雷射于印刷布线板之绝缘层中形成孔洞之方 法,包括下列步骤: 测量自印刷布线板之处理层所发射之电磁波的变 化; 同时根据变化判定绝缘层之残留状态; 根据绝缘层之残留状态调整雷射击数;及 确认残留状态在预定条件内,而完成各孔洞形成加 工。24.如申请专利范围第23项之利用雷射于印刷 布线板之绝缘层中形成孔洞之方法,其中如绝缘层 之残留厚度大于预设厚度,则即使于预定击数的雷 射施加完成后,仍再对绝缘层施加额外的雷射击数 ,及如残留厚度等于或小于预设厚度,则即使系在 预定击数的雷射终止之前,仍终止施加雷射击数。 25.如申请专利范围第24项之利用雷射于印刷布线 板之绝缘层中形成孔洞之方法,其中雷射击数之能 量系可调整。图式简单说明: 第一图系显示在本发明之一具体例之一例子中之 加工状态的剖面图; 第二图系在本发明之具体例之此例子中之加工装 置的概略图示; 第三图系显示在本发明之具体例之另一例子中之 加工状态的剖面图; 第四图系测定操作的概略图示; 第五图系另一测定操作的概略图示; 第六图系又另一测定操作的概略图示; 第七图(a)至第七图(c)系另一测定操作的概略图示; 第七图(a)系第一击雷射的概略图示;第七图(b)系第 二击雷射的概略图示;及第七图(c)系第三击雷射的 概略图示; 第八图(a)至第八图(d)系又另一侧定操作的概略图 示;第八图(a)系第一击雷射的概略图示;第八图(b) 系第二击雷射的概略图示;第八图(c)系第三击雷射 的概略图示;及第八图(d)系以累积积分値为基础之 测定操作的概略图示; 第九图(a)至第九图(c)说明在另一例子中之操作;第 九图(a)系来自绝缘层的发射强度-波长特性图;第 九图(b)系当一部分的孔洞达到处理层时之发射强 度-波长特性图;及第九图(c)系来自处理层的发射 强度-波长特性图; 第十图系说明在又另一例子中之操作的发射强度- 波长特性图; 第十一图系另一例子之概略图示; 第十二图系又另一例子之概略图示; 第十三图系第十二图中之另一例子的概略图示; 第十四图系第十二图中之又另一例子的概略图示; 及 第十五图系雷射加工之操作规则系统的概略图示 。 |
