对模糊现象不敏感的图像传感器及其制造方法

摘要

图像传感器由一具有很多连接表面沟道的半导体衬底组成，沟道区由连接表面的沟道隔离区相互分开，而且进一步和相对表面平行延伸的半导体区相接。沟道区的掺杂浓度超过半导体区的掺杂浓度，而半导体区本身的掺杂浓度超过半导体衬底的掺杂浓度，半导体区的厚度在沟道区中心外有一个最小值。在这样的图像传感器中，在垂直表面的方向上可以实现电势变化，从而可强烈抑制“模糊”现象的产生。本发明也涉及这个图像传感器的制造方法。

主权项

1、图象传感器是由第一导电型半导体衬组成，衬底上有许多第一导电型连接表面的沟道区域，这些沟道区与衬底表面上的电极系统相垂直，工作时，在沟道区域中收集和传输电荷，这些沟道区由第二导电型连接表面的沟道隔离区相互分开，并且进一步和相对表面平行延伸的第二导电型半导体区相连接，其特征是：沟道区掺杂浓度超过半导体区的掺杂浓度，而半导体区本身的掺杂浓度又超过半导体衬底的掺杂浓度，半导体区的厚度沿沟道区垂直方向变化，在沟道中心达到最小值。