发明名称 X射线装置
摘要 高压变压器次级接有高压电容器的X射线高压发生装置。本发明的一个目的是为避免由于给高压变压器提供重复同一极性的交流电压所引起的磁差。高压电容器的充电电压是通过转换初级侧多个可控硅来控制的。为实现上述目的,本发明为这些可控硅提供这样一个门电路,以便通过它,使在任何设定的充电电压(设定的X射线管的管电压)下,两种极性的可控硅交替地被接通,从而避免了高压变压器上的磁差(图5)。
申请公布号 CN85101401A 申请公布日期 1987.01.24
申请号 CN85101401 申请日期 1985.04.01
申请人 株式会社岛津制作所 发明人 田中恭;中山敏夫
分类号 H05G1/18 主分类号 H05G1/18
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人 吴增勇;王栋令
主权项 1、在高压变压器的次级接有电容器,其初级有可控硅SCR的三相X射线高压控制装置,本发明的特征在于:设有通过控制可控硅来控制次级电容器的充电电压的可控硅门控电路,而且使设定的管电压和电容器充电电压之间的比例系数小于设定管电压电平时,则此门控电路产生小的或常数项的变化。
地址 日本京都市中京区河原町通二条下鹿诺船入町378番地