MOFSET having a thermal protection.

摘要

Auf dem Halbleiterkörper eines MOSFET (1) ist wärmeleitend der Halbleiterkörper eines Thyristors (5) (oder Bipolartransistors) angeordnet. Der Anoden- und Katodenan-s chluß (A, K) (Emitter- und Kollektoranschluß) ist mit dem Gateanschluß (G) bzw. dem Sourceanschluß (S) des 1 MOSFET (1) verbunden. Der Thyristor (Bipolartransistor) ist so dimensioniert, daß er einschaltet, bevor eine für den MOSFET kritische Temperatur von 150 bis 180 °C erreicht wird. Damit wird die Gate-Sourcekapazität des MOSFET kurzgeschlossen und der MOSFET schaltet ab.