| 摘要 |
图案化磁开关装置之金属堆叠层以使得该临界蚀刻层可被制造于平面基材且无任何拓仆及使得第二微影步骤由顶部经图案化硬罩幕不具拓仆，其包括：a)沉积磁通道接合堆叠于含由Cu线路围绕的金属电晶体的氧化物层，其中通孔连接固定磁石至至少一个金属电晶体，由沉积一TiN层于该金属通道接合堆叠及沉积一W层于TiN上而形成双层硬罩幕；b)藉由以在该TiN硬罩幕层上的蚀刻中止层打开于该金属电晶体的一部份该W硬罩幕层，沉积通道接合抗蚀剂及显影在该硬罩幕顶部的抗蚀剂特征而结构化该装置的接合；c)打开该剩余的W硬罩幕层及剥离剩余的抗蚀剂及蚀刻余留剂；d)执行金属蚀刻以将一个装置与相邻装置隔离及沉积反反射涂层；e)藉由打开该TiN硬罩幕及剥离任何剩余的抗蚀剂及蚀刻余留剂而转移该抗蚀剂图案至该TiN硬罩幕；f)藉由蚀刻一部份该磁通道接合堆叠的顶部层及打开对该W硬罩幕(其维持该装置接合的图案)选择的其余部份的该TiN硬罩幕来图案化以将一个装置与相邻装置隔离以形成记忆体阵列；及g)藉由执行通道接合蚀刻及由沉积Al及氧化该经沉积的铝以形成Al2O3层修饰该磁开关装置而使用该W硬罩幕影响该接合图案转移，以收集腐蚀残余物及保护该装置的金属表面不致氧化及／或腐蚀。 |
