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<P>DANS CE CIRCUIT, COMPRENANT DES TRANSISTORS MOS 25, 36 INTERCONNECTES DE FACON COMPLEMENTAIRE, L'UN A CANAL P L'AUTRE A CANAL N, UNE TENSION EST INDUITE SUR UNE INDUCTANCE DE CONNEXION 28 LORS DE LA CHARGE OU DE LA DECHARGE, PENDANT LA COMMUTATION DU CIRCUIT TAMPON, D'UNE CAPACITE DE CHARGE C. CETTE TENSION INDUITE CHANGE LE NIVEAU DU POTENTIEL DE LA MASSE OU DE LA TENSION D'ALIMENTATION, CE QUI PROVOQUE LA DEFORMATION DU SIGNAL DE LECTURE DE LA MEMOIRE. POUR Y REMEDIER, L'UN DES DEUX TRANSISTORS MOS, TRAVERSE PAR LE COURANT DE CHARGE OU DE DECHARGE DU CONDENSATEUR C, EST REMPLACE PAR DEUX TRANSISTORS MOS 36, 34, DE PLUS PETITE TAILLE, ET LE SIGNAL DE DONNEES A EST APPLIQUE DIRECTEMENT A L'UN 36 DE CES TRANSISTORS ET A TRAVERS UN ELEMENT A RETARD 32, 33 A L'AUTRE 34, DE SORTE QUE LA POINTE DE LA TENSION INDUITE EST ABAISSEE SANS AUGMENTATION DU TEMPS D'ACCES DE LA MEMOIRE.</P>
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